ejercicios estudiante 2 tarea 1 fisica electronica, Ejercicios de Electrónica

¡Descarga ejercicios estudiante 2 tarea 1 fisica electronica y más Ejercicios en PDF de Electrónica solo en Docsity! Universidad Nacional Abierta y a Distancia – UNAD Curso de Física Electrónica 100414 Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería (ECBTI) . PREPARACIÓN DEL REPORTE INFORME DE TAREAS INDIVIDUALES Y LABORATORIOS EN FORMATO DE DOS COLUMNAS (MANUSCRITO ESTILO “PAPER”). TAREA 2: Introducción a Circuitos Semiconductores Estudiante: Manuel Fernando Velez Mora CC: 1114452523 Grupo: 100414_138 Tutor: Freddy Reynaldo Téllez acuña Curso: física electrónica UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA Palmira Abril-16- 2023 1 Universidad Nacional Abierta y a Distancia – UNAD Curso de Física Electrónica 100414 Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería (ECBTI) . PREPARACIÓN DEL REPORTE INFORME DE TAREAS INDIVIDUALES Y LABORATORIOS EN FORMATO DE DOS COLUMNAS (MANUSCRITO ESTILO “PAPER”). Integrante 1 (Manuel Fernando Velez Mora) e-mail: integrante1@institución (e-mail: mfvelezm@unadvirtual.edu.co) RESUMEN: En los siguientes párrafos se muestra la solución de análisis de circuitos con semiconductores, sus respectivas formulas y ecuaciones para resolverlo de la manera más adecuada, se aplican leyes que rigen estos circuitos, tales como la Ley de Kirchhoff, Ley de Ohm y Ley de Watt; al realizar los respectivos cálculos para análisis de circuitos con semiconductores se comprueban mediante un simulador en línea llamado Multisim Online donde se observa el comportamiento y mediciones del circuito. PALABRAS CLAVE: Cálculos, Circuitos, semiconductores, simulador. 1 LINK VIDEO SUSTENTACIÓN https://youtu.be/RP9YBVWcvs8 2 DESARROLLO DE LA PRACTICA O EJERCICIOS 2 Y 3 2.1 MONTAJE 1/ EJERCICIO 2 Estudiante 2: Encuentre las corrientes de diodo D1 y D2 y la caída de tensión sobre la resistencia R1 (asuma diodos de silicio) Figura 1. Montaje 1 ejercicio 2 realizado en Multisim Online. Para resolver el circuito se debe considerar lo siguiente: VD=VK=0.7 V .( porque es Diodo de Silicio) VR=E−VK Ec .1 ID=IR=VR /R Ec .2 Aplicamos y reemplazamos VR 1=8 V−0.7 V=7.3V .Ec .1 La caída de tensión en la resistencia 1 (R1) es: VR 1=7.3V ID 1=IR1=VR 1 R1 Ec .2 ID 1=IR1= 7.3 V 340 Ω =0.0214705882 A . Entonces tenemos que la corriente en D1 es: ID 1=0.0214705882 A . Como el circuito es en serie según la Ley de Kirchhoff, la corriente en D2 y R1 es igual a la corriente que circula por el circuito, es decir la misma corriente encontrada en D1: ID 2=0.0214705882 A . IR 1=0.0214705882 A . Datos en Multisim Online: V=7.2684 V .≈ 7.3V I=19.226 mA=0.019226 A .≈ 0.02 A 2